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参数目录42199
> RMW180N03TB MOSF N CH 30V 18A PSOP8
型号:
RMW180N03TB
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSF N CH 30V 18A PSOP8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
RMW180N03TB PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5.6 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1250pF @ 15V
功率 - 最大
3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商设备封装
8-PSOP
包装
剪切带 (CT)
其它名称
RMW180N03TBCT
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